ich will meine 512 MB RAM in meinem Amilo M7400 auf 1GB aufrüsten (eingebaut sind bisher die Original-Samsung-Module). Welche Empfehlungen und Tipps könnt ihr mir geben ?
Ich hatte bereits 2x 512 von TakeMS drin, konnte die aber nicht zum Laufen bringen. Man hat mir Infineon-Module empfohlen, wären die was ? Gibts eine offizielle Empfehlung von Fujitsu-Siemens ?
Hier die Daten aus Everest:
- Code: Alles auswählen
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ Samsung M4 70L3224FT0-CB0 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M4 70L3224FT0-CB0
Seriennummer 430EC9DFh
Herstellungsdatum Woche 19 / 2004
Modulgröße 256 MB (2 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2100 (133 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Maximale CAS Wartezeit 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
2te Maximale CAS Wartezeit 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ Samsung M4 70L3224FT0-CB0 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M4 70L3224FT0-CB0
Seriennummer 4307C9E8h
Herstellungsdatum Woche 19 / 2004
Modulgröße 256 MB (2 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2100 (133 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Maximale CAS Wartezeit 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
2te Maximale CAS Wartezeit 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Danke!!
Jugg